Характеристики некоторых фоторезистов применяемых в промышле

Характеристики некоторых фоторезистов применяемых в промышленности

Раздел: Радиолюбительская технология

Фоторезисты ФП-383 и ФП-383М (ТУ 6-14-632-86)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, металлизированных шаблонов, шкал, сеток, печатных плат.

No Характеристики Норма 1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 2,0 4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 6,0 - 6,5 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,0 6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 1,0 - 1,2 7 Число оборотов при нанесении, об/мин 3000,0 8 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее 3,0 9 Проявитель 2% раствор в воде Na3PO4 Фоторезист ФП-25 (ТУ 6-14-531-89)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

No Характеристики Норма 1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 20,0 6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 6 - 8 8 Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH - 1:10:1), не менее, минут 14,0 9 Проявитель 0,5% водный раствор КОН Фоторезист ФП-РН-7С (ТУ 6-36-00206842-27-93)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, шкал, сеток.

No Характеристики Норма 1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 1,5 4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 2,0 - 2,5 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,5 6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 0,7 - 1,1 7 Число оборотов при нанесении, об/мин 2500,0 8 Контраст проявления пленки, отн. ед., не менее 90,0 Фоторезист ФП-4-04 марка В (ТУ 6-14-1092-88)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем с использованием контактного и проекционного экспонирования в области длин волн 300-405 нм. Выпускается трех марок А, В и С

No Характеристики Норма марка A марка B марка C 1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 2,0 2,0 2,0 4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 4,5 15,0 21,5 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,0 2,0 2,0 6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 0,5 1,5 2,0 7 Число оборотов при нанесении, об/мин 3000,0 3000,0 3000,0 8 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее 10,0 12,0 15,0 9 Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более 20 30 40 10 Светочувствительность, мдж/см2, не более 60 120 150 Фоторезист ФП-27-18БС марка А (ТУ 6-14-424-88)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве печатных плат, микросхем, сеток, шкал, масок с применением гальванической обработки.

No Характеристики Норма 1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 3 Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более 17,0 - 20,0 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 100,0 6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 2,6 - 3,4 9 Проявитель 0,6% раствор КОН в воде 10 Светочувствительность, мдж/см2, не хуже 150,0 Фоторезисты ФП-051К и ФП-051Т

Фоторезист ФП-051К (ТУ 6-14-920-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве БИС на подложках с рельефом.

Фоторезист ФП-051Т (ТУ 6-14-919-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве больших интегральных схем

No Характеристики Норма ФП-051К ФП-051Т 1 Внешний вид фоторезиста Жидкость красно-корич цвета без осадка 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 55,0 15,5 - 19,5 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 2,0 2,0 6 Толщина пленки фоторезиста, мкм 1,9 - 2,3 1,3 8 Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее 30,0 15,0 9 Проявитель 0,6% раствор КОН в воде Фоторезисты ФН-11Су и ФН-11СКу (ТУ Р-11433386-4-О-92)

Предназначены для реализации фотолитографичексих процессов в производстве интегральных микросхем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков, печатных микроплат, форм, и других изделий с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов (медь, алюминий, нихром и др.), для гальванического осаждения металлов.

No Характеристики Норма ФН-11Су ФН-11СКу 1 Внешний вид фоторезиста Прозрачная жидкость коричневого цвета 2 Внешний вид пленки фоторезиста Гладкая без разрывов 4 Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек 13+3 150+10 5 Разрешаюшая способность, мкм, не более 8,0 8,0 9 Проявитель Уайт-спирит
Реклама Ламинат в Москве . Купить промышленные пылесосы от компании АлгоСтар . ru, комсерв-пласт, производство термоусадочной пленки из ПВД Реклама






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.