Кодовое обозначение миниатюрных полупроводниковых приборов

Кодовое обозначение миниатюрных полупроводниковых приборов

Раздел: Полезная информация

Полупроводниковые приборы в корпусе КТ-46 (SOT-23) ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ


C-Di- (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод (варикап);
MOS-N(P)-FET-d(e)- (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
N-FET- (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N-каналом;
PIN-Di- (PIN -diode) - диод;
P-FET- (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р-каналом;
S- (Sensor devices) - сенсорная схема;
Si-Di- (Silicon diode) - кремниевый диод;                                 
Si-N- (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор;
Si-N-Darl- (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN (обратный) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-P- (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор;
Si-P-Darl- (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP (прямой) транзистор по схеме Дарлингтона;
Si-St- (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод (стабилитрон);
Т- (Tuner Diodes) - переключающий диод;
Tetrode- (P- + N-gate thyristor) - транзистор с четырехслойной структурой;
Vrf- (Voltage reference diodes) - высокостабильный опорный диод;
Vrg- (Voltage requlator diodes) - регулируемый опорный диод;
AM- (RF application) - амплитудная модуляция;
Band-S- (RF band switching) - ключевой элемент (электронный переключатель диапазона);
Chopper- (Chopper) - прерыватель;
Dual- (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор (диод);
FED- (Field effect diode) - диод, управляющий напряжением;
FM- (RF application) - частотная модуляция;
HF- (RF application [general]) - высокочастотный диапазон;
LED- (Light-emitting diode) - светодиод;
M- (Mixer stages) - смесительный;
Min- (Miniaturized) - миниатюрный;
NF- (AF applications) - низкочастотный (звуковой) диапазон;
О- (Oscillator stages) - генераторная схема;
га- (Low noise) - малошумящий;
S- (Switching stages) - ключевой;
SS- (Fast switching stages) - быстродействующий ключ;
sym- (SyMinetrical types) - симметричный;
Tr- (Driver stages) - мощной устройство (мощный управляющий ключ);
tuning(RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона;
Tunnel-Di- (Tunnel diode) - тунельный диод;
UHF- (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий (СВЧ) диапазон;
Uni- (General purpose tyres) - универсальный (массового применения);
V- (Pre/input stages) - предварительный (для входных цепей);
VHF- (RF applications [approx. 100..,250 MHz]) - высокочастотный (УКВ) диапазон;
Vid- (Video output stages) - видеочастотный (для цепей видеочастоты);

Тип прибора маркировка структ. код п/п аналог (прибл.) Краткие параметры Типов. Рев. ВА316 А6   Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, 420 BCW89 НЗ Н31 Si-P ВС556А Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120 BCX17 Т1 Т4 Si-P ВС327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz BCX18 Т2 Т5 Si-P ВС328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz BCX20 U2 U5 Si-N ВС 33 8 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz BCX70G AG   Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220 BCX70H AH   Si-N ВС 107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 BCX70J AJ   Si-N ВС107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 BCX70K AK   Si-N ВС107С, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 BCX71G BG   Si-P ВС177А, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250 BCX71H BH   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475 BCX71J BJ   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650 BCX71K BK   Si-P ВС557С Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800 BF510 S6   N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V BF511 S7   N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V BF512 S8   N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V BF513 S9   N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V BF536 G3   SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz BF569 G6   Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz BF579 G7   Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz BF767 G9   Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz BF820     S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz BF821 1W   Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz BF822 1Х   Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz BF823 1Y   Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz BF824 F8   Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz BF840 F3   Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz BF841 F31   SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz BFR30 М1   N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP1mA, YP0.2mA, Up






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.