Журнал Радио 5 номер 1971 год.

Журнал Радио 5 номер 1971 год. НОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Б. ДОМНИН, В. ГОРДЕЕВА

Транзисторы КТ306А — КТ306Д— кремниевые, планарные, n-р-n структуры, высокочастотные, маломощные. Транзисторы КТ306А, КТ306Б предназначены для работы в переключающих устройствах, а КТ306В — КТ306Д — в усилительных. Электрические параметры и предельно допустимые эксплуатационные режимы транзисторов приведены ниже.

Электрические параметры транзисторов КТ306А — КТ306Д при
tокр. ср —20 ±5°С Iкo — 0,5 мка — обратный ток коллектора при Uк = 15 в Вст = 20 — 60 (КТ306А)
Вст = 40 —120 (КТ306Б)
Вст = 20 — 100 (КТ306В)
Вст = 40 — 200 (КТ306Г)
Вст = 30 — 150 (КТ306Д) — коэффициент прямой передачи тока в режиме большого сигнала при Iк — 10ma, Uк=1 в. Iэо = 1 мка — обратный ток эмиттера при Uэ = 4 в. |β| = 3
(КТ306А, КТ306В)
|β| = 5
(КТ306Б, КТ306Г)
|β| = 2 (КТ306Д) — модуль коэффициента передачи тока при Iэ —10 ма, Uk = 5 в f = 100 Мгц. Uкн = 0.3 в — напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения при Iк = 10 ма, Iб = 1 ма. Uбн = 1 в
(КТ306А, КТ306Б) — напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения при Iк —10 ма, Iб = 1ма. r'б Ск — 500 нсек (КТ306В — КТ306Д) — постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 5 ма, Uк = 5в, f = 10 Мгц. h11б = 30 ом — входное сопротивление в режиме малого сигнала при Iэ = 5 ма, UK = 5 в,
f = 1 кгц   Предельно допустимые эксплуатационные режимы Рк. макс =150 мвт — мощность, рассеиваемая на коллекторе при tокр. ср ≤ 90°С. Рк. макс =125 мвт — мощность, рассеиваемая на коллекторе при tокр. ср ≤ 100°С. tокр. ср = -55÷+100°С — температура окружающей среды. Uкб. макс = 15 в — напряжение между коллектором и базой Uкэ. макс = 10 в — напряжение между коллектором и эмиттером при Rэб≤З ком (при отсутствии запирающего смещения). Uэб. макс = 4 в — напряжение между базой и эмиттером Iк. макс = 30 ма — ток коллектора Iк. макс = 50 ма — ток коллектора в режиме насыщения Iэ. макс = 30 ма — ток эмиттера Iэ. макс = 50 ма — ток эмиттера в режиме насыщения    

Транзисторы КТ307А — КТ307Г— кремниевые, бескорпусные, средне-частотные, n-р-n структуры предназначены для применения в быстродействующих переключающих микросхемах электронных устройств в составе герметизированных модулей.

Транзисторы КТ316А — КТ316Д кремниевые, планарно-эпитаксиальные, n-р-n структуры, маломощные, высокочастотные. Транзисторы КТ316А — КТ316В предназначены для работы в быстродействующух переключающих устройствах, а КТ316Г КТ316Д — в усилительных.

 

Вернуться к содержанию журнала "Радио" 5 номер 1971 год







Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2019 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.