Самая быстрая в мире 512Мб мобильная SDRAM

Компания  Hynix разрабатывает  самую быструю  в мире мобильную DRAM-память

Сеул, 4 декабря 2006 г. - Hynix Semiconductor, Inc. объявила сегодня о том, что разработан самый быстрый и самый маленький в мире 512-Мбит модуль мобильной DRAM-памяти. Это изделие соответствует стандартам JEDEC и работает на частоте 200 МГц - самой высокой в промышленности.

Используя 32-битную шину, 512 Мб модуль мобильной памяти DDR SDRAM от HYNIX обрабатывает 1,6 Гбайт (400 bps x32) данных в секунду, что примерно в 1,5 раза быстрее чем существующие DRAM модули производимые компанией. По словам Hynix: „Изделие будет иметь объём памяти и скорость необходимую для мобильных телефонов 3-го поколения, которые предоставляют новые услуги потребителю, такие как DMB (Digital Media Broadcast - цифровое телевизионное вещание)".

Ожидается что новый продукт увеличит конкурентоспособность компании в области мобильных решений, где имеется тенденция к миниатюризации (8 мм х 10 мм). Более того, Hynix собирается объединить модуль памяти мобильной DRAM 512Мб и NAND Flash в многосхемном модуле (MCP - multi-chip package), что позволит разрабатывать более тонкие мобильные телефоны.

С запуском 512 Мб модуля мобильной памяти DRAM, Hynix подтвердил своё технологического лидерство. Компания будет продолжать расширять разработки и сбыт изделий мобильной DRAM, которые удовлетворяют потребности потребителей в более высоких скоростях, больших объёмах и меньшему энергопотреблению, в корпусах малого размера.

Источник






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.