Новый MOSFET транзистор производства STMicroelectronics

MOSFET транзистор с высоким КПД, производства STMicroelectronics, выгодный для применения в осветительных устройствах

Компания STMicroelectronics - один из ведущих мировых производителей силовых полупроводниковых устройств, представила первое изделие из нового семейства силовых полевых МДП-транзисторов. Новое семейство позволяет потребителям радикально уменьшить потери проводимости и увеличить эффективность и надёжность своих осветительных приборов, обеспечивая очень низкое сопротивление в открытом состоянии, а также прекрасные динамические характеристики и характеристики лавинных процессов.

Постоянный спрос на рынке осветительной аппаратуры на устройства большой мощности при малых размерах и низкой стоимости, заставили производителей полупроводниковых устройств довести оптимизацию своих изделий до предела. Новый транзистор STD11NM60N, выигрывающий за счёт второго поколения технологии MDmesh™, принадлежащей ST, представляет такую оптимизацию, имея максимальное значение RDS (ON) 450 мОм. Величина сопротивления этого транзистора понижена на 55% по сравнению с предшествующей технологией MDmesh™, без принесения в жертву жесткого контроля её зависимости от температуры.

В дополнение к существенно пониженным потерям в открытом состоянии, достигнутым сведением к минимуму величины сопротивления, 600-вольтовый транзистор имеет энергетически оптимизированную схему драйвера, которая позволяет полевому МДП-транзистору управлять большими токами при более низком значении VGS(th) (пороговое напряжения затвора). Фактически, сохранив такую же ширину порогового значения (2 В), диапазон VGS, в котором устройство управляется, был понижен, оптимизируя таким образом управление и гарантируя иммунитет от высокого уровня шума, что предотвращает непреднамеренное переключение устройства.

 

Подробнее 






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.