Микросхемы и модули памяти типа DDR3 от компании Hunix первы

Компания Hynix Semiconductor, Inc. сообщает об первой, среди утройств этого типа, успешной аттестации микросхем и модулей памяти типа DDR3, проведённой компанией Intel. Изделия компании Hunix, прошедшие аттестацию, - это 1-гигабитная микросхема DDR3 SDRAM, для производства которой используется передовой 80-нанометровый технологический процесс, 1-гигабайтный и 2-гигабайтный модули небуферированной памяти типа DDR3 DIMM. Эти устройства отличаются самыми высокими рабочими частотами, среди устройств этого типа, составляющими 800 МГц и 1066 МГц при напряжении питания 1,5 В. Комбинации таймингов, предлагаемые с такими рабочими частотами,  - это 5-5-5 и 6-6-6 для 800 МГц и 7-7-7 для 1066 МГц, что позволяет удовлетворять потребности различных персональных компьютеров и другого оборудования.

Кроме высокого быстродействия, модули памяти типа DDR3 отличаются на 25 % пониженным потреблением тока, по сравнению с текущим поколением памяти - DDR2. Благодаря используемой компанией Hunix аархитектуре "трёхмерный транзистор" сводятся к минимуму утечки тока, что приводит к ещё большему уменьшению потребляемого тока и обеспечению целостности данных.

Массовое производство 1-гигабитных микросхем памяти типа DDR3 по 80-нанометровому технологическому процессу начнётся в третьем квартале этого года. Компания Hunix планирует начать производство этого изделия по новому 66-нанометровому технологическому процессу в конце 2007 года.

Подробнее






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.