Новые N-канальные MOSFET-транзисторы от Fairchild Semiconduc

Компания Fairchild Semiconductor представляет новое семейство N-канальных MOSFET-транзисторов с высоким КПД, которые имеют защиту от электростатического разряда напряжением до 8 кВ - на 90% больше, чем у существующих транзисторов. Устройства семейства FDS881XNZ подходят для схем защиты батарей в таких электронных приборах как ноутбуки и мобильные телефоны. Они производятся по технологии Power Trench® и имеют низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, благодаря чему уменьшаются потери на проводимость и увеличивается время работы устройств от батарей. В частности, модель FDS8812NZ имеет сопротивление во включенном состоянии R DS(ON) менее 5 мОм.

Основные преимущества изделий семейства FDS881XNZ:

Низкое значение сопротивления RDS(ON) способствует высокому КПД и увеличению времени работы батарей. Встроенный диод для защиты от электростатического разряда обеспечивает защиту до 8 кВ. Защита от бросков напряжения благодаря высоким значениям лавинного тока и максимального тока для исключения высоких уровней напряжения на выходе защитных схем.

N-канальные MOSFET-транзисторы выпускаются в стандартном корпусе типа SO8.

Подробнее






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.