Транзисторы с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер

   Биполярные транзисторы (NPN) и CET3906E (PNP) производства компании Central Semiconductor поставляются в корпусах для поверхностного монтажа SOT-883L и имеют напряжение насыщения VCE максимальное 0.1 В м типовое 0.057 В при токе 10 мА, и максимальное 0.2 В и типовое 0.1 В при токе 50 мА. Габаритные размеры 1.050 мм × 0.650 мм × 0.400 мм, максимальный ток коллектора 200 мА, рассеиваемая мощность 250 мВт, компоненты отвечают требованиям предельного содержания вредных веществ.

   Источник: Transistors-Demonstrate-Low-VCE-SAT.aspx






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.