Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией

   Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В.

   Источник: DRAM-Chip-Is-Densest-Available-013009.aspx






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.