Энергонезависимая память 4 Мбит от RAMTRON

Компания Ramtron объявила о начале производства микросхемы энергонезависимой памяти FRAM объемом 4 Мбит с параллельным интерфейсом. Микросхема имеет практически неограниченный ресурс циклов перезаписи, содержит монитор напряжения питания для защиты от случайной записи. Выводы микросхемы соответствуют стандарту расположения выводов (JEDEC) микросхем памяти SRAM.

Основные характеристики:

Организация памяти FRAM: 4 Мбит (256 K × 16 бит, либо 512 К × 8 бит); Число циклов перезаписи: 1014; Время доступа к памяти: 55 нс; Напряжение питания: 2,7...3,6 В; Монитор напряжения питания; Возможность программной защиты блоков памяти; Ток потребления:
- в рабочем режиме: 12 мА;
- в режиме хранения: 90 мкA; Корпус FBGA-48; Рабочий диапазон температур: -40...+85 °С.

Для получения более подробной информации вы можете обратиться в один из офисов компании ЭЛТЕХ






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.