1 Мбайт энергонезависимой (FRAM) памяти от Ramtron

08.07.2009

1 Мбайт энергонезависимой (FRAM) памяти от Ramtron

Компания Ramtron запустила в производство новую микросхему FM23MLD16 энергонезависимой памяти объемом 1 Мбайт с параллельным интерфейсом. Микросхема предлагается в корпусе FBGA-48 и совместима по выводам с микросхемой FRAM объемом 4 Мбита в таком же корпусе.

Новый компонент является отличной заменой SRAM-памяти (в конфигурации 512К×16) в таких применениях, как робототехника, RAID-контроллеры, многофункциональные принтеры, автомобильные навигационные системы и др., так как не требует батарейного питания, вследствие чего устойчив к жестким условиям эксплуатации (влажность, вибрации, удар).

FM23MLD16 имеет монитор питания, который блокирует доступ к массиву памяти, защищая данные, когда напряжение питания падает ниже порогового значения. Микросхема поддерживает высокоскоростной страничный режим работы, который обеспечивает операции чтения/записи групп по 8 байтов с частотой до 33 МГц.

Основные характеристики:

Организация памяти FRAM: 1 Мбайт (512К × 16 или 1М × 8 бит); Число циклов перезаписи: 1014; Напряжение питания: 2,7...3,6 В; Время доступа к памяти: 60 нс; Параллельный интерфейс, страничный режим операций на частоте до 33 МГц; Монитор низкого питания для защиты данных; Ток потребления:
- в рабочем режиме: 14 мА;
- в режиме простоя: не более 540 мкА; Рабочий диапазон температур: -40...+85 °С; Соответствие по расположению выводов (JEDEC) микросхеме SRAM памяти (в конфигурации 512К × 16); Корпус: FBGA-48.

Полную информацию по данному компоненту можно найти на сайте Ramtron.

Заказать инженерные образцы для оценки возможности применения новой микросхемы в Вашей аппаратуре можно в любом офисе компании Элтех.






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.