GaN транзисторы для построения усилителей L – C диапазона

   Компания Mitsubishi Electric анонсировала разработку трех моделей нитрид галлиевых (GaN) транзисторов с высокой подвижностью электронов с выходной мощностью 10 Вт (MGF0840G), 20 Вт (MGF08403G) и 40 Вт (MGF0846G). Транзисторы предназначены для применения в усилителях L – C диапазона (0.5 ГГц – 6 ГГц), которые входят в состав базовых станций мобильной связи, VSAT терминалов и другого оборудования передачи данных. Продажи компонентов начнутся в августе 2010 года.

   Источник






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.