Cверхбыстрый 600 В MOSFET + защитный диод от IXYS

Компания IXYS выпустила первого представителя нового семейства сверхбыстрых чопперов MKE — MKE11R600DCGFC в корпусе ISOPLUS i4TM. MKE11R600DCGFC состоит из 600 В MOSFET-транзистора и SiC-диода 600 В/12 А на одном чипе в конфигурации «boost chopper».

 Применение SiC-диода позволяет добиться очень высокой эффективности при малых потерях на коммутацию. Одновременно, расположение диода и транзистора на общей подложке позволило существенно снизить вносимую индуктивность, а удобная топология корпуса позволяет существенно упростить разработку конструктива.

Технология ISOPLUS предлагает разработчику дискретный изолированный корпус на DCB-подложке с меньшим тепловым сопротивлением и более высокой надежностью, по сравнению со стандартными неизолированными корпусами на медном основании. Интеграция COOLMOS® CP MOSFET и SiC-диода в корпусе ISOPLUS i4TM обеспечивает высокую удельную мощность и высокую надежность при одновременном уменьшении габаритных размеров и потерь.

Основные характеристики:

Рабочая температура (TVJ): -55…+155 ºC Изоляция: 2500 В AC

MOSFET:

Максимальный ток (при 25 ºС и при 90 ºС): ID25 15 A; ID90 11 А Напряжение сток-исток (VDSS): 600 В Максимальное сопротивление открытого канала (RDS(on) max): 0,165 Ом Скорость нарастания (dV/dt): 50 В/нс

SiC диод:

Рабочее напряжение (VRRM): 600 В Максимальный ток (при 25 ºС и при 90 ºС): IF25 14 A; IF90 8 А

Чоппер MKE11R600DCGFC найдет применение в импульсных источниках питания, источниках бесперебойного питания, схемах корректоров коэффициента мощности и др.

Более подробную информацию можно получить у технических специалистов компании, обратившись в любой офис ЭЛТЕХ, или на сайте производителя.






Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.