Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2009 год.

Журнал "Новости Электроники", номер 12, 2009 год.International Rectifier на новом этапе развитияОлег Стариков (КОМПЭЛ) В данном обзоре кратко освещены изменения, произошедшие в компании International Rectifier за последние два года и определены фокусные направления в группах продуктов. Особое внимание компания уделяет созданию высокотехнологичных продуктов и решений, в частности развитию MOSFETs с эталонными характеристиками.

Компания International Rectifier известна во всем мире как общепризнанный разработчик и производитель силовых электронных компонентов. Номенклатура изделий International Rectifier стала де-факто стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

После продажи своего подразделения «Силовые приборы и системы» с оборотом $250 млн., в которое входили продукты, выполненные по морально устаревшим на сегодняшний день технологиям, компания International Rectifier усилила свои позиции, сфокусировавшись на создании инновационных высокотехнологичных продуктов и решений. В частности, - на создании новых MOSFET с эталонными характеристиками (Benchmark) в своем классе.

С первого марта 2008 г. президентом и CEO-компании International Rectifier стал выходец из России Олег Хайкин, один из ведущих специалистов по корпусированию и сборке полупроводниковых приборов. В результате усиления «русского элемента» (основатель International Rectifier - Эрик Лидов, выходец с территории бывшей Российской Империи) произошли следующие изменения:

Развитие номенклатуры MOSFETs поставлено на первое место;Перед компанией поставлена задача- вводить не менее 30 новых транзисторов в квартал;Компания International Rectifier завершила разработку и объявила готовность к серийному производству с конца 2009г. транзисторов на базе революционной платформы GaN On Si с перспективой значительного снижения сопротивления открытого канала Rds(on) и уменьшения потерь мощности;Произведен пересмотр ценовой политики- снижены цены на большую часть продуктов;Введен обновляемый Cross Reference;Представлены новые MOSFET, способные заменить порядка тридцати различных типономиналов конкурентов и большое число аналогичных приборов предыдущих поколений IR.

Резюмируя вышесказанное, необходимо отметить, что сегодня компания International Rectifier, освободившись от «груза» устаревших технологий и продуктов, сфокусировалась на развитии инновационных технологий и создании новых, высокотехнологичных продуктов.

Так, на сегодняшний день новые IR MOSFET имеют эталонные характеристики (Benchmark) в своем классе приборов до 250 В, показывая лучшее в отрасли соотношение цена / качество. Недавно компания International Rectifier представила рынку новые MOSFETs, выполненные по новейшей Trench-технологии кристалла с ультранизким удельным сопротивлением канала ячейки. В результате этого снизилось сопротивление открытого канала RDS(on) до 2,5 раз по сравнению с предыдущим поколением. В Таблице 1 в качестве примера приведены характеристики нескольких типономиналов данного класса MOSFETs International Rectifier.

Таблица 1. Характеристики нескольких типономиналов новых IR MOSFET   Наименование Канал Vds, В Rds(on), мОм Qg, нК Id (T=25°C), А Корпус IRFP4004PBF N 40 1,7 220 195 TO-247AC IRFP4368PBF N 75 1.85 380 195 TO-247AC IRFP4468PBF N 100 2,6 360 195 TO-247AC IRFP4568PBF N 150 5,9 151 171 TO-247AC IRFP4668PBF N 200 9,7 161 130 TO-247AC

Высокие динамические характеристики и низкая мощность управления данных приборов в совокупности с низким сопротивлением открытого канала позволяют значительно уменьшить площадь теплоотвода и размеры проектируемого устройства в целом, а также получить большую выходную мощность устройства в пределах уже существующих габаритов.

Новые IR MOSFET в диапазоне напряжений 20...250 В выполнены в корпусах следующих видов: PQFN 5x6, SO-8, D-PAK, D2PAK, D2PAK-7, TO-220, TO-247, DirectFET.

Особенностями новых MOSFET, выполненных по технологии корпусирования кристалла DirectFET, являются максимальное соотношение «площадь кристалла»/«площадь корпуса» при высоте корпуса 0,7 мм и отсутствие «разварки» кристалла. Это способствует получению ультранизкого электрического сопротивления выводов корпуса и высокой тепловой эффективности приборов, то есть высокой рассеивающей способности корпуса, а также получению самой низкой среди указанных корпусов паразитной индуктивности.

Транзисторы в корпусе DirectFET предназначены в первую очередь для применения в блоках питания низкопрофильных электронных систем, а кроме того - для применения в высококачественных аудиоусилителях, в инверторах солнечных батарей, в приводах с батарейным питанием.

Более подробно с перечнем новых IR MOSFET с эталонными характеристиками можно ознакомиться на интернет-странице: NEW_MOSFET_EU_V1.pdf.

Среди применений, для которых были разработаны новые IR MOSFET, можно выделить телекоммуникационные и промышленные импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, DC/DC-преобразователи, промышленный тяговый привод постоянного тока с батарейным питанием 12...80 В, инверторы солнечных батарей, привод электроинструмента, силовая автоэлектроника.

Говоря о других традиционных продуктах International Rectifier, необходимо выделить 600-вольтовые Trench IGBT для высокоэффективных UPS и инверторов источников питания, а также 1200-вольтовые Trench IGBT, рекомендуемые для таких применений, как промышленный электропривод, индукционный нагрев, сварочные агрегаты, инверторы солнечных батарей.

На основе инновационных технологий применяемых в разработке кристаллов IGBT и корпусировании, компанией International Rectifier выпущены на рынок новые интеллектуальные силовые IGBT-модули серии IRAMxx ,предназначенные для использования в промышленном электроприводе и приводе бытовой техники мощностью до нескольких киловатт. Данный класс устройств также популярен при производстве привода небольшой мощности.

Компанией International Rectifier разработаны и выпускаются:

микросхемы нового поколения, предназначенные для управления энергосберегающими источниками света,силовые ИМС для электронных балластов люминесцентных ламп и ламп высокого давления,микросхемы драйверов IGBT и MOSFET, включая высоковольтные микросхемы HVIC (High-Voltage Integration Circuit),продукты на базе интегрированной платформы IMotion и цифровые контроллеры для управления электроприводом, продукты платформы SupIRBuck, микроэлектронные твердотельные реле.

На сайте  размещен «Навигатор по MOSFET для новых разработок», обновляемый «Cross Reference по MOSFET», и информация о других группах продуктов International Rectifier, включая навигаторы по IGBT, HVIC и интеллектуальным ключам.

Получение технической информации, заказ образцов, поставка - e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript

 

 

 

Вернуться к содержанию номера







Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.