Журнал "Новости Электроники", номер 1, 2005 год

УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ IGBT CO-PACK ТРАНЗИСТОР

International Rectifier, мировой лидер в технологии создания компонентов для силовой электроники, представляет IRGP50B60PD, 600-вольтовый NPT-IGBT транзистор со встроенным 25-амперным HEXFRED диодом, способным работать на частотах вплоть до 150 кГц.

IRGP50B60PD расширяет линию WARP2 – высокочастотных IGBT/HEXFRED совмещенных приборов. Новый транзистор улучшен благодаря внедрению более мощного HEXFRED диода, способного работать в условиях больших выбросов обратных токов. В дополнение, новый Co-Pack прибор позволяет получить высокий КПД в мощных (от 1 кВт до 12 кВт) высокочастотных импульсных источниках питания для телекоммуникационных и серверных систем. IRGP50B60PD может применяться в корректорах коэффициента мощности, мостовых ключевых схемах, мощных источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах и различных промышленных силовых устройствах.

«Мощные AC-DC серверные и телекоммуникационные цепи повышенной плотности нуждаются в высоком КПД и наличии сильных ключей для безотказной работы. WARP2 IGBT транзисторы обладают низкими потерями при выключении и малое время спада тока для получения значительно большего КПД чем в конкурирующих устройствах, особенно на высоких частотах», сказал Stephen Oliver, маркетингменеджер по AC-DC компонентам International Rectifier.

WARP2 IGBT транзисторы производятся по новой технологии с применением тонкой подложки, которая гарантирует меньшее время переноса заряда и быстрое выключение. Незначительный обратный выброс тока и низкие потери при выключении, или Eoff, дают возможность разработчикам достичь более высоких рабочих частот переключения.

Улучшение частотных свойств, в совокупности с положительным температурным коэффициентом и низким зарядом затвора, дает возможность повысить плотность тока. Положительный температурный коэффициент гарантирует надежность, безотказность, высокую эффективность и равномерное распределение тока при параллельном соединении.

Технические характеристики IRGP50B60PD

Наименование VCES Корпус IC @ 25 °C

(FET equiv.)

(A)

IC @ 25 °C

(A)

IC @ 100 °C

(A)

Diode IFmax

@ 25°C

(A)

Diode IFmax

@ 100 °C

(A)

VCE(ON)typ

@ 25 °C

(V)

IRGP50B60PD 600 TO-247 50 75 45 65 25 2V@33A

По вопросам поставки и применения можно обращаться к официальному дистрибьютору прдукции International Rectifier – компании КОМПЭЛ, e-mail: Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript , тел. в Москве: (095) 995-0901, тел. в С.-Петербурге:

(812) 327-9404

Вернуться к содержанию номера







Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.