Журнал "Новости Электроники", номер 18, 2008 год.

Журнал "Новости Электроники", номер 18, 2008 год.Обзор продукции International RectifierВиталий Берелидзе (КОМПЭЛ) После продажи в начале 2007 года части бизнеса компании Vishay, компания International Rectifier сконцентрировалась на наиболее технологичной и перспективной продукции. Предлагаемый обзор посвящен тому, чем занимается компания сегодня.

 

Компанию International Rectifier отличает системный подход в производстве электронных компонентов. Компания успешно сочетает как разработку и производство новейших изделий, так и создание платформ, новых направлений для внедрения компонентов. Все новейшие разработки International Rectifier направлены на повышение энергоэффективности конечных решений.

Увеличение стоимости электроэнергии стимулирует активное развитие и внедрение энергосберегающих технологий. Продукция International Rectifier для энергосбережения охватывает следующие области применения:

Светотехника - электронные балласты для люминесцентных ламп и ламп высокого давления;Электропривод - платформа Imotion и цифровые контроллеры векторного управления электроприводом, интеллектуальные модули для электропривода;Источники питания - корректор коэффициента мощности IR1150, ШИМ-контроллеры, синхронные выпрямители, контроллеры и драйверы серии iP200x и iP120x, платформа SupIRBuck, контроллеры для многофазных систем.

Отдельно следует выделить продукцию International Rectifier для высоконадежных применений - тяжелых условий эксплуатации, авиации и космоса. Вся продукция такого типа производится по отдельному технологическому процессу и проходит полный цикл квалификационных испытаний по стандартам в соответствии с областью применения. В списке высоконадежной продукции International Rectifier присутствуют как традиционная продукция - MOSFET, IGBT, сверхбыстрые диоды и диоды Шоттки, драйверы и оптореле, - так и целая гамма интегральных стабилизаторов напряжения, модульных источников питания, решений для электропривода.

Также следует отметить традиционно высокий уровень поддержки разработчиков. По новинкам продукции предлагаются референс-дизайны с полным описанием по применению. Высококвалифицированные специалисты инженерного центра International Rectifier оказывают полную техническую поддержку и сопровождение проектов вплоть до начала серийного производства.

Помимо перечисленного, International Rectifier предлагает пакет программных продуктов для расчета. Доступны версии как для онлайн-расчета, так и версии для установки на компьютере разработчика, в зависимости от программы:

Power Factor Correction - онлайн-расчет и моделирование корректора коэффициента мощности;Point of Load - онлайн-расчет и моделирование источников питания iPower;Motor Control - онлайн-расчет и моделирование интеллектуальных модулей для электропривода;Lighting - расчет и моделирование электронных балластов, доступный для загрузки;Synchronous Rectification - онлайн-расчет и моделирование синхронных выпрямителей;Bus Converter - онлайн-расчет и моделирование DC/DC-преобразователей;Motor Control - онлайн-компилятор для конфигурирования цифрового контроллера управления электроприроводом для платформы iMotion.

В линейке продукции International Rectifier можно выделить целый ряд новинок, подтверждающий традиционно высокий статус компании-лидера. Новая продукция будет более подробно рассмотрена в отдельных статьях этого выпуска.

В разработке и производстве MOSFET International Rectifier занимает лидирующие позиции в производстве благодаря новым разработкам. Последним событием International Rectifier в производстве MOSFET явилось появление серии Trench MOSFET. Отличительной особенностью новой технологии является существенное снижение сопротивления перехода: до двух с половиной раз по сравнению с предыдущим поколением MOSFET. Совокупность низкого сопротивления канала и высоких динамических характеристик позволяет производителям существенно уменьшить размеры теплоотвода, размеры устройства в целом и в пределах тех же габаритов получить существенно большую выходную мощность устройства. Это также позволяет избежать параллельного включения MOSFET.

International Rectifier выпускает большой ассортимент продукции как в корпусах общепромышленного стандарта, так и в корпусах с высокой тепловой эффективностью DirectFET. MOSFET-транзисторы, произведенные по технологии DirectFET®, доступны на рынке с 2001 года. Тем не менее, ряд уникальных характеристик и активное развитие этого вида продукции позволяют отнести их к наиболее привлекательной и перспективной продукции. Таковыми являются DirectFET® с кристаллами TrenchFET нового поколения. Новые транзисторы отличаются низким сопротивлением канала и низким зарядом затвора.

Производство IGBT-транзис­торов является традиционной продукцией International Rectifier В 2007 году International Rectifier представил шестое поколение кристаллов IGBT, изготовленных по технологии Trench IGBT. Новые IGBT имеют номинальный ток на 60% выше по сравнению с предыдущим поколением.

Микросхемы драйверов IGBT и MOSFET являются неотъемлемой частью любой современной преобразовательной техники, будь то источник питания, инверторный сварочный аппарат или электропривод. Одновременно с производством силовых полупроводников International Rectifier активно ведет разработку микросхем драйверов. International Rectifier первой на рынке предложила драйвер ключа верхнего уровня без гальванической изоляции и с подключением к минусу силовой шины, а также управление ключом через схему смещения уровня. Началось производство пятого поколения высоковольтных микросхем драйверов HVIC (High-Voltage Integrated Circuit), имеющих ряд дополнительных функциональных возможностей, высокую устойчивость к скорости нарастания напряжения (du/dt до 50 кВ/мкс), более высокую степень интеграции, более низкую стоимость.

Появление интеллектуальных силовых модулей для электропривода явилось ответом International Rectifier уже сложившемуся рынку интеллектуальных модулей. Целый ряд инноваций в разработке нового поколения драйверов, кристаллов IGBT и технологий корпусирования позволил International Rectifier выпустить на рынок новую линейку интеллектуальных силовых модулей, качественно отличающихся от аналогичных модулей других производителей. Успех первого поколения предопределил появление второго поколения интеллектуальных модулей с применением новых драйверов, кристаллов Trench IGBT, усовершенствованной технологии корпусирования модулей, позволившей увеличить номинальный ток модулей в 1,5 раза, и с целым рядом усовершенствованных основных характеристик.

В области преобразования электрической энергии International Rectifier также является безусловным лидером рынка силовой электроники. Появление контроллера корректора коэффициента мощности IR1150 с патентованной технологией управления на основе интегратора со сбросом («One Cycle Control» - OCC) позволило существенно упростить построение корректоров коэффициента мощности и разрабатывать корректоры для преобразователей до 7 кВт.

Для DC/DC-преобразователей IR разработал целую линейку ШИМ-контроллеров, контроллеров для синхронных выпрямителей. Представлены также синхронные выпрямители, контроллеры и драйверы серии iP200x и iP120x, платформа SupIRBuck, контроллеры для многофазных систем. Отличительными особенностями решений International Rectifier для DC/DC-преобразователей является самый высокий КПД в отрасли (до 96%) и самый широкий дипазон входных рабочих напряжений (до +27 В). Интегрированные решения SupIRBuck, iP200x и iP120x отличает сочетание предельно высоких рабочих токов (до 40 А при 90°С) и низкой стоимости.

Дальнейшие перспективы развития International Rectifier связывает с выходом на рынок силовой электроники с галлий-нитридной технологией.

На проходившей в Мюнхене 11-14 ноября 2008 выставке «Electronica tradeshow» компания International Rectifier объявила о революционной технологии производства полупроводников на основе GaN (нитрид галлия) и продемонстрировал прототипы устройств с применением новой технологии. Отличительной чертой новой технологии является уникальное сочетание кардинального улучшения основных параметров полупроводниковых компонентов и простота внедрения в традиционные технологические процессы производства силовых полупроводников. В настоящее время темпы роста эффективности кремниевого кристалла силового МОП-транзистора замедляются, резервы этих технологий в значительной мере исчерпаны. Новая технология обеспечивает по крайней мере десятикратное преимущество по сравнению с лучшими современными кремниевыми технологиями по критерию FOM (комплексный критерий качества, учитывающий потери на проводимость и переключение, численно оценивается как произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора). Это позволяет существенно повысить эффективность преобразования и снизить энергопотребление во многих приложениях в компьютерной, телекоммуникационной, бытовой технике и автоэлектронике.

Новая платформа стала результатом опытно-конструкторских работ компании по созданию эпитаксиальных технологий «нитрид галлия на кремнии», проводившихся в течение последних пяти лет.

Ответственный за направление
в КОМПЭЛе - Людмила Горева

 

 

 

 

   

Вернуться к содержанию номера







Рекомендуемый контент




Copyright © 2010-2017 housea.ru. Контакты: info@housea.ru При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.